Light emitting diode epitaxial wafer, light emitting diode chip and manufacturing method thereof
The invention discloses a light emitting diode epitaxial wafer (10), a light emitting diode chip (20) and a manufacturing method thereof. The light emitting diode epitaxial wafer (10) comprises a substrate (11); a protective layer (12) provided on one side of the substrate (11); the light-emitting s...
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Hauptverfasser: | , |
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Format: | Patent |
Sprache: | chi ; eng |
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