Method for improving OVL alignment problem of epitaxial layer

The invention discloses a method for improving an OVL alignment problem of an epitaxial layer. The method comprises the following steps: providing a substrate; a measurement mark is formed on the surface layer of the substrate, the measurement mark is a groove, and the side wall of the groove is rec...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: WANG XIAORI, ZHANG LEI, YU LOUFEI, YANG MENGMENG
Format: Patent
Sprache:chi ; eng
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