Semiconductor element and manufacturing method thereof

A semiconductor device includes a substrate, an active region on the substrate, a recessed region in the active region, a gate dielectric layer on the recessed region, and a gate dielectric layer on the gate dielectric layer. Wherein an edge portion of the gate dielectric layer has a rounded profile...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: XIONG CHANGBO, YANG QINGZHONG
Format: Patent
Sprache:chi ; eng
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!