Method of forming tunnel magnetoresistance (TMR) elements and TMR sensor element

A method includes performing an ion beam etching process on a tunnel magnetoresistance (TMR) stack to remove material portions of a first magnetic layer and a tunnel barrier layer of the TMR stack. The ion beam etching process stops at a top surface of a second magnetic layer of the TMR stack. A pro...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	MATZ HARTMUT, KOCK JORG, REIMANN KLAUS, ISLER MARK
Format:	Patent
Sprache:	chi ; eng
Schlagworte:	ELECTRICITY
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!