Capacitive pressure sensor and preparation method

The invention discloses a capacitive pressure sensor, including a SOI (Silicon-On-Insulator) silicon chip, a single crystalline silicon layer, a silicon dioxide layer and polysilicon layers. The SOI silicon chip is internally provided with a vacuum seal cavity. The silicon dioxide layer comprises wi...

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Hauptverfasser: NIE MENG, HUANG QING'AN, BAO HONGQUAN
Format: Patent
Sprache:eng
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