Analysis of pattern features

The embodiments disclose a method for an electron curing reverse-tone process, including depositing an etch-resistant layer onto a patterned imprinted resist layer fabricated onto a hard mask layer deposited onto a substrate, curing the etch-resistant layer using an electron beam dose during etching...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: KURATAKA NOBUO, YU ZHAONING, GAUZNER GENNADY
Format: Patent
Sprache:eng
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