Groove type transistor with thick-bottom dielectric layer and manufacturing method of the transistor

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	CHEN MIANGUO, SHI YIQUN, LIN YONGFA, XU SHOUYI, WU MENGWEI
Format:	Patent
Sprache:	eng
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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