MONOLITHIC INTEGRATION OF ENHANCEMENT-MODE AND DEPLETION-MODE GALIUM NITRIDE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS

A device and method of fabricating a device having depletion-mode and enhancement-mode high-electron-mobility transistors (HEMTs) on a single wafer are disclosed. The method of fabrication involves providing semiconductor layers capable of sustaining a two-dimensional electron sheet to enable electrical current to flow through the HEMT, forming a series of trenches and fins in the semiconductor layers over an active area of the semiconductor layers on which a gate contact terminal is to be set down, the fins of respective HEMTs having different widths resulting in different voltage thresholds for the respective depletion-mode HEMTs. L'invention divulgue un dispositif et un procédé de fabrication d'un dispositif ayant des transistors à haute mobilité d'électrons (HEMT) à mode d'appauvrissement et à mode d'enrichissement sur une seule tranche. Le procédé de fabrication consiste à fournir des couches semi-conductrices pouvant supporter une feuille d'électrons bidimensionnelle pour permettre à un courant électrique de circuler à travers le HEMT, à former une série de tranchées et d'ailettes dans les couches semi-conductrices sur une zone active des couches semi-conductrices sur lesquelles une borne de contact de grille doit être installée, les ailettes de HEMT respectifs ayant des largeurs différentes, ce qui permet d'obtenir différents seuils de tension pour les HEMT à mode d'appauvrissement respectifs.