MULTI-WELL SELENIUM DEVICE AND METHOD FOR FABRICATION THEREOF

Provided is a field shaping multi-well detector and method of fabrication thereof. The detector is configured by depositing a pixel electrode on a substrate, depositing a first dielectric layer, depositing a first conductive grid electrode layer on the first dielectric layer, depositing a second dielectric layer on the first conductive grid electrode layer, depositing a second conductive grid electrode layer on the second dielectric layer, depositing a third dielectric layer on the second conductive grid electrode layer, depositing an etch mask on the third dielectric layer. Two pillars are formed by etching the third dielectric layer, the second conductive grid electrode layer, the second dielectric layer, the first conductive grid electrode layer, and the first dielectric layer. A well between the two pillars is formed by etching to the pixel electrode, without etching the pixel electrode, and the well is filled with a-Se. L'invention concerne un détecteur multi-puits à conformation de champ et son procédé de fabrication. Le détecteur est formé par dépôt d'une électrode de pixel sur un substrat, par dépôt d'une première couche diélectrique, d'une première couche d'électrode de grille conductrice sur la première couche diélectrique, d'une seconde couche diélectrique sur la première couche d'électrode de grille conductrice, d'une seconde couche d'électrode de grille conductrice sur la seconde couche diélectrique, d'une troisième couche diélectrique sur la seconde couche d'électrode de grille conductrice, et d'un masque de gravure sur la troisième couche diélectrique. Deux piliers sont formés par attaque de la troisième couche diélectrique, de la deuxième couche d'électrode de grille conductrice, de la seconde couche diélectrique, de la première couche d'électrode de grille conductrice, et de la première couche diélectrique. Un puits entre les deux piliers est formé par attaque en direction de l'électrode de pixel, sans attaquer cette dernière, et le puits est rempli de sélénium amorphe (a-Se).