MULTICRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS

The present invention relates to multicrystalline p-type silicon wafers with high lifetime. The silicon wafers contain 0.2-2.8 ppma boron and 0.06-2.8 ppma phosphorous and/or arsenic and have been subjected to phosphorous diffusion and phosphorous gettering at a temperature of above 925°C. The invention further relates to a method for production of such multicrystalline silicon wafers and to solar cells comprising such silicon wafers. La présente invention concerne des plaquettes de silicium polycristallin de type p avec une grande durée de vie. Les plaquettes de silicium contiennent de 0,2 à 2,8 ppma de bore et de 0,06 et 2,8 ppma de phosphore et/ou d'arsenic et ont été soumises à une diffusion de phosphore et à une absorption de phosphore à une température supérieure à 925°C. L'invention concerne en outre un procédé de production de telles plaquettes de silicium polycristallin et des cellules solaires comprenant de telles plaquettes de silicium.