PIXEL COM DRENAGEM AUMENTADA

PIXEL COM DRENAGEM AUMENTADA. A presente invenção refere-se a um circuito integrado que compreende: um pixel que compreende: uma região de fotodetecção; e um dreno configurado para descartar portadores de carga de dentro de uma região semicondutora do pixel fora da região de fotodetecção. Algumas modalidades referem-se a um circuito integrado que compreende: um pixel que compreende: uma região de fotodetecção; e um dreno configurado para descartar portadores de carga da região de fotodetecção, em que o dreno compreende uma região semicondutora e a região semicondutora é contatada por um contato metálico. Algumas modalidades referem-se a um circuito integrado que compreende: um pixel que compreende: uma região de fotodetecção; e um dreno configurado para descartar portadores de carga da região de fotodetecção, em que o dreno compreende uma região semicondutora com a qual o contato elétrico é feito através de um percurso condutor que não inclui um eletrodo de polissilício. Some embodiments relate to an integrated circuit, comprising: a pixel, comprising: a photodetection region; and a drain configured to discard charge carriers from within a semiconductor region of the pixel outside of the photodetection region. Some embodiments relate to an integrated circuit, comprising: a pixel, comprising: a photodetection region; and a drain configured to discard charge carriers from the photodetection region, wherein the drain comprises a semiconductor region and the semiconductor region is contacted by a metal contact. Some embodiments relate to an integrated circuit, comprising: a pixel, comprising: a photodetection region; and a drain configured to discard charge carriers from the photodetection region, wherein the drain comprises a semiconductor region that to which electrical contact is made through a conductive path that does not include a polysilicon electrode.