DISPOSITIVO DE MEMÓRIA NÃO VOLÁTIL DIELÉTRICO DE DUPLA CAMADA E SISTEMA

DIELÉTRICO DE DUPLA CAMADA EM DISPOSITIVO DE MEMÓRIA. As modalidades da presente divulgação descrevem técnicas e configurações para um dispositivo de memória compreendendo um arranjo de memória possuindo uma pluralidade de linhas de palavra dispostas numa região de memória de uma matriz. As regiões de enchimento podem ser dispostas entre pares respectivos de linhas de palavra adjacentes da pluralidade de linhas de palavra. As regiões de enchimento podem incluir uma primeira camada dielétrica e uma segunda camada dielétrica disposta sobre a primeira camada dielétrica. A primeira camada dielétrica pode compreender material dielétrico spin-on orgânico (por exemplo, à base de carbono) (CSOD). A segunda camada dielétrica pode compreender um material dielétrico diferente do da primeira camada dielétrica, tal como, por exemplo, material dielétrico inorgânico. Outras modalidades podem ser descritas e/ou reivindicadas. Embodiments of the present disclosure describe techniques and configurations for a memory device comprising a memory array having a plurality of wordlines disposed in a memory region of a die. Fill regions may be disposed between respective pairs of adjacent wordlines of the plurality of wordlines. The fill regions may include a first dielectric layer and a second dielectric layer disposed on the first dielectric layer. The first dielectric layer may comprise organic (e.g., carbon-based) spin-on dielectric material (CSOD). The second dielectric layer may comprise a different dielectric material than the first dielectric layer, such as, for example, inorganic dielectric material. Other embodiments may be described and/or claimed.