METHOD FOR ANNEALING OF ION- IMPLANTING DEFECTS IN METAL- DIELECTRIC- SEMI- CONDUCTOR STRUCTURES

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	KASCHIEVA,SONJA B, DZHAKOV,ASEN E
Format:	Patent
Sprache:	eng
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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