METAL-INSULATOR-SILICON STRUCTURE, CONTAINING SILICON NANO CRYSTALS, FOR DETECTORS OF IONIZING RADIATION AND A METHOD FOR THEIR PRODUCTION

Изобретението се отнася до метал-изолатор-силиций (МИС) структури, съдържащи силициеви нанокристали, и метод за производството им и по-специално до структури от типа Al/c-Si/SiO2/Si-SiO2/SiC>2/Al, в които слоят от Si-SiO съдържа кристални наночастици. Структурите намират приложение в дозиметрията...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	MANOLOV EMIL, NEDEV NIKOLA, NESHEVA-SLAVOVA DIANKA, KOURIEL-ALVARES MARIO, KREZHOV KIRIL, SALAS BENDZHAMIN, NEDEV ROUMEN
Format:	Patent
Sprache:	bul ; eng
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!