MEDIUM FOR MAGNETIC AND/OR MAGNETO-OPTICAL RECORDING, METHOD FOR THEIR PRODUCTION AND METHOD FOR THEIR APPLICATION

Тънкослойната среда за магнитен запис е приложимав магниторезистивен записващ метод, а средата за магнитно-оптичен запис се използва в магнитно-оптичен записващ метод. Средата представлява твърда подложка с предпочитана, но не задължителна, форма на диск, с разположена върху нея конфигурация от тънкослойни покрития, състоящи се от различни магнитни слоеве (слой), помощен слой (слоеве) и защитен слой (слоеве). Магнитният слой е със стехиометричен състав с формула (R11-m R2m)1-x (A11-n A2n)xMnOy, в която R1 и R2 са редкоземните елементи La, Nd,Sm, Pr, Eu, Gd, Dy, Er, Yb, Lu или Y; A1 и A2 са двувалентни елементи Са, Sr, Ba, Pb, Bi; х има стойност 0,2-0,5; y - 2,5-3,2; m - 0-1 и n има стойност 0-1. Помощните защитни слоеве са от LaAlO3, MgO, YSZ, NdGaO3, SiO и SiN. Записът, четенето или презаписът на информация се извършват при относително ниски магнитни полета и при различна температура, избрана в зависимост от нужната чувствителност на записа, определена от типа и характеристиката наизползваното устройство. Методът за производство на средата се осъществява с определена последователност на процеси на магнетронно разпрашване на мишена с определен състав в зависимост от вида на слоя, последвана от задръжка и отгряване в газова среда със състав на кислород и аргон. The thin layer medium for magnetic recording can be appliedin magnetoresistive recording method, and the medium formagneto-optical recording is used in a megneto-optical recordingmethod. The medium is in the form of a hard substrate ofpreferably, but not mandatorily, form of a disc, having aconfiguration of thin layer coatings fitted on it consisting ofdifferent magnetic layers (layer), an auxiliary layer (layers) andprotection layer (layers). The magnetic layer is of stoichiometriccomposition with the formula(R11-mR2m)1-x) (A11-n A2n)x Mn0ywhere R1 & R2 are rare eath elements La, Nd, Sm, Pr, Eu, Gd, Dy,Er, Yb, Lu or Y; A1 & A2 are bivalent elements Ca, Sr, Ba, Pb, Bi;x has the value of 0.1-0.5; y is 2.5-3.2; m is 0-1 and n has thevalue of 0-1. The auxiliary protection layers are of LaAl03, Mg0,YSZ, NdGa03, Si0 and SiN. The recording, reading or rerecording ofinformation is made at relatively low magnetic fields and atdifferent temperatures selected depending on the requiredsensitivity of the recording, specified by the type andcharacteristics of the used device. The production method of themedium is performed following a specified sequence of processes ofmagnetron sputtering of a target of specific