Semiconductor device using a barrier layer

An enhancement mode semiconductor device has a barrier layer disposed between the gate electrode of the device and the semiconductor substrate underlying the gate electrode. The barrier layer increases the Schottky barrier height of the gate electrode-barrier layer-substrate interface so that the po...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: MARINO J. MARTINEZ, JULIO COSTA, NYLES W. CODY, ERNEST SCHIRMANN
Format: Patent
Sprache:eng
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