HALBLEITERSPEICHER
A memory is provided which includes a semiconductor substrate (26) having a major surface and a trench (24) disposed therein having a longitudinal axis, storage means (16, 16') disposed on a given sidewall of the trench, switching means (12, 12') having a control element and a current carr...
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Hauptverfasser: | , |
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; ger |
Schlagworte: | |
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