NANODRAHT- MAGNET-RAM

An integrated array of non volatile magnetic memory devices, each having a first magnetic layer (10) with a fixed magnetization direction; a free magnetic layer (20) with a changeable magnetization direction; a spacer layer (30) separating the first magnetic layer and the free magnetic layer, and a...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	WUNNICKE, OLAF
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	ELECTRICITY
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