HALBLEITERBAUELEMENTE MIT GRÄBEN UND DEREN HERSTELLUNGSVERFAHREN

In semiconductor devices which include an insulated trench electrode ( 11 ) in a trench ( 20 ), for example, trench-gate field effect power transistors and trenched Schottky diodes, a cavity ( 23 ) is provided between the bottom ( 25 ) of the trench electrode ( 11 ) and the bottom ( 27 ) of the tren...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	IN 'T ZANDT, MICHAEL, HIJZEN, ERWIN, HUETING, RAYMOND
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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