DÜNNSCHICHT-VOLUMENWELLEN-RESONATOR (FBAR) MIT LUFTSPALT UND HERSTELLUNGSMETHODE DAFÜR

A resistance layer (112) is formed on a semiconductor substrate (111). A membrane layer is formed on the resistance layer over a recess (112') to form an air gap. One electrode is formed on the upper portion of the membrane layer. A piezoelectric layer is formed on the upper portions of the mem...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	JUN, CHAN-BONG, SEO, O-GWEON
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY ELECTRICITY IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS RESONATORS
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