ELEKTROCHEMISCHE VORRICHTUNG
An electrochemical device including: (a) a semiconductor layer, wherein the semiconductor is silicon or silicon carbide, and where the layer has a thickness from 1 to 1000 μm; (b) a TiO2 layer on the semiconductor layer, where the layer may include an alkaline earth oxide MO up to an amount where th...
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Hauptverfasser: | , , |
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Format: | Patent |
Sprache: | ger |
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