Medidas de Transmitancia Espectral sin la Presencia de Franjas de Interferencia: Un Modelo para la Obtención de las Constantes Ópticas en Películas Delgadas Semiconductoras
This paper presents a model for obtaining the optical constants of thin films semiconductors. It is possible when there are not interference fringes in the transmittance spectra. Optical constants as the absorption coefficient (á), refractive index (n), extinction coefficient (k) and other physical...
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Veröffentlicht in: | Revista EIA 2014 (1), p.61-67 |
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Hauptverfasser: | , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | spa |
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creator | López Ospina, Sandra Marcela Calderón Cómbita, Jorge Arturo Dussan Cuenca, Anderson Quiroz Gaitán, Heiddy Paola |
description | This paper presents a model for obtaining the optical constants of thin films semiconductors. It is possible
when there are not interference fringes in the transmittance spectra. Optical constants as the absorption coefficient
(á), refractive index (n), extinction coefficient (k) and other physical properties (Gap (Eg) and thickness (d)) were
obtained for the Cu2ZnSnSe4 compound by deconvolution experimental spectra. Bhattacharyya model and basic
elements of Swanepoel theory were used for analysis of transmittance measurements. The Model presented takes into account considerations of inhomogeneity in the film and surface roughness. Values for the optical constants
obtained by the proposed model showed agreement with those obtained for samples from Swanepoel theory,
when its implementation was possible. A variation of ± 6 % for thickness values, which were corroborated by
performing profilometry measurements, was observed.
Apresenta-se um modelo para a obtencao das constantes opticas dos filmes finos de semicondutores quando
nao e possivel observar franjas de interferencia no espectro. Obtencao das constantes opticas, tais como o coeficiente
de absorcao ( ¿), o indice de refraccao (n) o coeficiente de extincao (k) e as propriedades fisicas como a largura do
fosso proibido áGap â (por exemplo) e a espessura da Filme (d), foram obtidos para os filmes finos de composto
Cu2ZnSnSe4 pela desconvolucao dos espectros experimental. Para a analise das medidas de transmitancia foi
tomado como o modelo basico de Bhattacharyya e os elementos basicos da teoria de Sweneapoel. O modelo
aqui apresentado leva em conta as consideracoes de heterogeneidade no filme e da rugosidade da superficie. Os
valores para as constantes opticas obtidas pelo modelo proposto mostrou concordancia com os obtidos para as
amostras da teoria Sweneapoel sempre que possivel implementacao. Uma variacao de } 6 % foi observada para
valores de espessura, os quais foram corroborados atraves da realizacao de medicoes de perfilometria.
En este trabajo presentamos un modelo para la obtencion de las constantes opticas de peliculas delgadas
semiconductoras cuando no es posible observar franjas de interferencia en los espectros. La obtencion de las
constantes opticas como el coeficiente de absorcion ( ¿), el indice de refraccion (n), coeficiente de extincion (k)
y las propiedades fisicas como el ancho de brecha prohibida ágap â (Eg) y el espesor de la pelicula (d), fueron
obtenidos para peliculas delgadas del |
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when there are not interference fringes in the transmittance spectra. Optical constants as the absorption coefficient
(á), refractive index (n), extinction coefficient (k) and other physical properties (Gap (Eg) and thickness (d)) were
obtained for the Cu2ZnSnSe4 compound by deconvolution experimental spectra. Bhattacharyya model and basic
elements of Swanepoel theory were used for analysis of transmittance measurements. The Model presented takes into account considerations of inhomogeneity in the film and surface roughness. Values for the optical constants
obtained by the proposed model showed agreement with those obtained for samples from Swanepoel theory,
when its implementation was possible. A variation of ± 6 % for thickness values, which were corroborated by
performing profilometry measurements, was observed.
Apresenta-se um modelo para a obtencao das constantes opticas dos filmes finos de semicondutores quando
nao e possivel observar franjas de interferencia no espectro. Obtencao das constantes opticas, tais como o coeficiente
de absorcao ( ¿), o indice de refraccao (n) o coeficiente de extincao (k) e as propriedades fisicas como a largura do
fosso proibido áGap â (por exemplo) e a espessura da Filme (d), foram obtidos para os filmes finos de composto
Cu2ZnSnSe4 pela desconvolucao dos espectros experimental. Para a analise das medidas de transmitancia foi
tomado como o modelo basico de Bhattacharyya e os elementos basicos da teoria de Sweneapoel. O modelo
aqui apresentado leva em conta as consideracoes de heterogeneidade no filme e da rugosidade da superficie. Os
valores para as constantes opticas obtidas pelo modelo proposto mostrou concordancia com os obtidos para as
amostras da teoria Sweneapoel sempre que possivel implementacao. Uma variacao de } 6 % foi observada para
valores de espessura, os quais foram corroborados atraves da realizacao de medicoes de perfilometria.
En este trabajo presentamos un modelo para la obtencion de las constantes opticas de peliculas delgadas
semiconductoras cuando no es posible observar franjas de interferencia en los espectros. La obtencion de las
constantes opticas como el coeficiente de absorcion ( ¿), el indice de refraccion (n), coeficiente de extincion (k)
y las propiedades fisicas como el ancho de brecha prohibida ágap â (Eg) y el espesor de la pelicula (d), fueron
obtenidos para peliculas delgadas del compuesto Cu2ZnSnSe4 mediante la deconvolucion de los espectros experimentales.
Para el analisis de las medidas de transmitancia se tomo como base modelo de Bhattacharyya y
elementos basicos de la teoria de Sweneapoel. El modelo aqui presentado tiene en cuenta consideraciones de
inhomogeneidad en la pelicula y rugosidad en la superficie. Los valores para las constantes opticas obtenidas
por el modelo propuesto presentaron concordancia con los obtenidos para las muestras a partir de la teoria
de Sweneapoel, cuando fue posible su aplicacion. Una variacion del } 6 % fue observada para los valores del
espesor, los cuales fueron corroborados mediante la realizacion de medidas de perfilometria.</description><identifier>ISSN: 1794-1237</identifier><identifier>EISSN: 1794-1237</identifier><language>spa</language><publisher>Escuela de Ingeniería de Antioquía</publisher><subject>filmes finos ; Optics Properties ; películas delgadas ; propiedades ópticas ; propriedades ópticas ; semiconductores ; Semiconductors ; semicondutores ; Thin Films</subject><ispartof>Revista EIA, 2014 (1), p.61-67</ispartof><rights>LICENCIA DE USO: Los documentos a texto completo incluidos en Dialnet son de acceso libre y propiedad de sus autores y/o editores. Por tanto, cualquier acto de reproducción, distribución, comunicación pública y/o transformación total o parcial requiere el consentimiento expreso y escrito de aquéllos. Cualquier enlace al texto completo de estos documentos deberá hacerse a través de la URL oficial de éstos en Dialnet. Más información: https://dialnet.unirioja.es/info/derechosOAI | INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS STATEMENT: Full text documents hosted by Dialnet are protected by copyright and/or related rights. This digital object is accessible without charge, but its use is subject to the licensing conditions set by its authors or editors. Unless expressly stated otherwise in the licensing conditions, you are free to linking, browsing, printing and making a copy for your own personal purposes. All other acts of reproduction and communication to the public are subject to the licensing conditions expressed by editors and authors and require consent from them. Any link to this document should be made using its official URL in Dialnet. More info: https://dialnet.unirioja.es/info/derechosOAI</rights><lds50>peer_reviewed</lds50><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><link.rule.ids>314,776,780,870,4010</link.rule.ids></links><search><creatorcontrib>López Ospina, Sandra Marcela</creatorcontrib><creatorcontrib>Calderón Cómbita, Jorge Arturo</creatorcontrib><creatorcontrib>Dussan Cuenca, Anderson</creatorcontrib><creatorcontrib>Quiroz Gaitán, Heiddy Paola</creatorcontrib><title>Medidas de Transmitancia Espectral sin la Presencia de Franjas de Interferencia: Un Modelo para la Obtención de las Constantes Ópticas en Películas Delgadas Semiconductoras</title><title>Revista EIA</title><description>This paper presents a model for obtaining the optical constants of thin films semiconductors. It is possible
when there are not interference fringes in the transmittance spectra. Optical constants as the absorption coefficient
(á), refractive index (n), extinction coefficient (k) and other physical properties (Gap (Eg) and thickness (d)) were
obtained for the Cu2ZnSnSe4 compound by deconvolution experimental spectra. Bhattacharyya model and basic
elements of Swanepoel theory were used for analysis of transmittance measurements. The Model presented takes into account considerations of inhomogeneity in the film and surface roughness. Values for the optical constants
obtained by the proposed model showed agreement with those obtained for samples from Swanepoel theory,
when its implementation was possible. A variation of ± 6 % for thickness values, which were corroborated by
performing profilometry measurements, was observed.
Apresenta-se um modelo para a obtencao das constantes opticas dos filmes finos de semicondutores quando
nao e possivel observar franjas de interferencia no espectro. Obtencao das constantes opticas, tais como o coeficiente
de absorcao ( ¿), o indice de refraccao (n) o coeficiente de extincao (k) e as propriedades fisicas como a largura do
fosso proibido áGap â (por exemplo) e a espessura da Filme (d), foram obtidos para os filmes finos de composto
Cu2ZnSnSe4 pela desconvolucao dos espectros experimental. Para a analise das medidas de transmitancia foi
tomado como o modelo basico de Bhattacharyya e os elementos basicos da teoria de Sweneapoel. O modelo
aqui apresentado leva em conta as consideracoes de heterogeneidade no filme e da rugosidade da superficie. Os
valores para as constantes opticas obtidas pelo modelo proposto mostrou concordancia com os obtidos para as
amostras da teoria Sweneapoel sempre que possivel implementacao. Uma variacao de } 6 % foi observada para
valores de espessura, os quais foram corroborados atraves da realizacao de medicoes de perfilometria.
En este trabajo presentamos un modelo para la obtencion de las constantes opticas de peliculas delgadas
semiconductoras cuando no es posible observar franjas de interferencia en los espectros. La obtencion de las
constantes opticas como el coeficiente de absorcion ( ¿), el indice de refraccion (n), coeficiente de extincion (k)
y las propiedades fisicas como el ancho de brecha prohibida ágap â (Eg) y el espesor de la pelicula (d), fueron
obtenidos para peliculas delgadas del compuesto Cu2ZnSnSe4 mediante la deconvolucion de los espectros experimentales.
Para el analisis de las medidas de transmitancia se tomo como base modelo de Bhattacharyya y
elementos basicos de la teoria de Sweneapoel. El modelo aqui presentado tiene en cuenta consideraciones de
inhomogeneidad en la pelicula y rugosidad en la superficie. Los valores para las constantes opticas obtenidas
por el modelo propuesto presentaron concordancia con los obtenidos para las muestras a partir de la teoria
de Sweneapoel, cuando fue posible su aplicacion. Una variacion del } 6 % fue observada para los valores del
espesor, los cuales fueron corroborados mediante la realizacion de medidas de perfilometria.</description><subject>filmes finos</subject><subject>Optics Properties</subject><subject>películas delgadas</subject><subject>propiedades ópticas</subject><subject>propriedades ópticas</subject><subject>semiconductores</subject><subject>Semiconductors</subject><subject>semicondutores</subject><subject>Thin Films</subject><issn>1794-1237</issn><issn>1794-1237</issn><fulltext>true</fulltext><rsrctype>article</rsrctype><creationdate>2014</creationdate><recordtype>article</recordtype><sourceid>FKZ</sourceid><recordid>eNqlj8FKw0AQhoMoWLTvMC9Q6JpKiHiR2qKHYqnxHMbdqUzY7IadzcHn8DnEg4-QF3NTFbw7lxn-__uZmaNsoopyMVMXeXH8Zz7NpiLNPFVeXs5VOck-NmTYoIAhqAI6aTmi04ywko50DGhB2IFF2AYSOliJXSe2-Y7du0hhT-HgXcGTg403ZD10GHAMPjzH0Rs-3YjblFp6J2lNJIHhrYusk0YOtmSHd92PxC3ZFxzveqSWtXem19EHlPPsZI9WaPrTz7Lr9apa3s0Mo3UU6y5wi-G19sj1r9Y7DuwbrEnqm12V3ldqoVRZ5P-MfwHc63ij</recordid><startdate>2014</startdate><enddate>2014</enddate><creator>López Ospina, Sandra Marcela</creator><creator>Calderón Cómbita, Jorge Arturo</creator><creator>Dussan Cuenca, Anderson</creator><creator>Quiroz Gaitán, Heiddy Paola</creator><general>Escuela de Ingeniería de Antioquía</general><scope>AGMXS</scope><scope>FKZ</scope></search><sort><creationdate>2014</creationdate><title>Medidas de Transmitancia Espectral sin la Presencia de Franjas de Interferencia: Un Modelo para la Obtención de las Constantes Ópticas en Películas Delgadas Semiconductoras</title><author>López Ospina, Sandra Marcela ; Calderón Cómbita, Jorge Arturo ; Dussan Cuenca, Anderson ; Quiroz Gaitán, Heiddy Paola</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-dialnet_primary_oai_dialnet_unirioja_es_ART00011411973</frbrgroupid><rsrctype>articles</rsrctype><prefilter>articles</prefilter><language>spa</language><creationdate>2014</creationdate><topic>filmes finos</topic><topic>Optics Properties</topic><topic>películas delgadas</topic><topic>propiedades ópticas</topic><topic>propriedades ópticas</topic><topic>semiconductores</topic><topic>Semiconductors</topic><topic>semicondutores</topic><topic>Thin Films</topic><toplevel>peer_reviewed</toplevel><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>López Ospina, Sandra Marcela</creatorcontrib><creatorcontrib>Calderón Cómbita, Jorge Arturo</creatorcontrib><creatorcontrib>Dussan Cuenca, Anderson</creatorcontrib><creatorcontrib>Quiroz Gaitán, Heiddy Paola</creatorcontrib><collection>Dialnet (Open Access Full Text)</collection><collection>Dialnet</collection><jtitle>Revista EIA</jtitle></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext</fulltext></delivery><addata><au>López Ospina, Sandra Marcela</au><au>Calderón Cómbita, Jorge Arturo</au><au>Dussan Cuenca, Anderson</au><au>Quiroz Gaitán, Heiddy Paola</au><format>journal</format><genre>article</genre><ristype>JOUR</ristype><atitle>Medidas de Transmitancia Espectral sin la Presencia de Franjas de Interferencia: Un Modelo para la Obtención de las Constantes Ópticas en Películas Delgadas Semiconductoras</atitle><jtitle>Revista EIA</jtitle><date>2014</date><risdate>2014</risdate><issue>1</issue><spage>61</spage><epage>67</epage><pages>61-67</pages><issn>1794-1237</issn><eissn>1794-1237</eissn><abstract>This paper presents a model for obtaining the optical constants of thin films semiconductors. It is possible
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(á), refractive index (n), extinction coefficient (k) and other physical properties (Gap (Eg) and thickness (d)) were
obtained for the Cu2ZnSnSe4 compound by deconvolution experimental spectra. Bhattacharyya model and basic
elements of Swanepoel theory were used for analysis of transmittance measurements. The Model presented takes into account considerations of inhomogeneity in the film and surface roughness. Values for the optical constants
obtained by the proposed model showed agreement with those obtained for samples from Swanepoel theory,
when its implementation was possible. A variation of ± 6 % for thickness values, which were corroborated by
performing profilometry measurements, was observed.
Apresenta-se um modelo para a obtencao das constantes opticas dos filmes finos de semicondutores quando
nao e possivel observar franjas de interferencia no espectro. Obtencao das constantes opticas, tais como o coeficiente
de absorcao ( ¿), o indice de refraccao (n) o coeficiente de extincao (k) e as propriedades fisicas como a largura do
fosso proibido áGap â (por exemplo) e a espessura da Filme (d), foram obtidos para os filmes finos de composto
Cu2ZnSnSe4 pela desconvolucao dos espectros experimental. Para a analise das medidas de transmitancia foi
tomado como o modelo basico de Bhattacharyya e os elementos basicos da teoria de Sweneapoel. O modelo
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En este trabajo presentamos un modelo para la obtencion de las constantes opticas de peliculas delgadas
semiconductoras cuando no es posible observar franjas de interferencia en los espectros. La obtencion de las
constantes opticas como el coeficiente de absorcion ( ¿), el indice de refraccion (n), coeficiente de extincion (k)
y las propiedades fisicas como el ancho de brecha prohibida ágap â (Eg) y el espesor de la pelicula (d), fueron
obtenidos para peliculas delgadas del compuesto Cu2ZnSnSe4 mediante la deconvolucion de los espectros experimentales.
Para el analisis de las medidas de transmitancia se tomo como base modelo de Bhattacharyya y
elementos basicos de la teoria de Sweneapoel. El modelo aqui presentado tiene en cuenta consideraciones de
inhomogeneidad en la pelicula y rugosidad en la superficie. Los valores para las constantes opticas obtenidas
por el modelo propuesto presentaron concordancia con los obtenidos para las muestras a partir de la teoria
de Sweneapoel, cuando fue posible su aplicacion. Una variacion del } 6 % fue observada para los valores del
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