Self Assembly of semiconductor nanostructures

In this work we present the growth and characterization of GaAs self-assembled quantum wires (SAQWRs), and InAs self-assembled quantum dots (SAQDs) by molecular beam epitaxy on (631)-oriented GaAs substrates. Adatoms on the (631) crystal plane present a strong surface diffusion anisotropy which we u...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Respuestas 2007, Vol.12 (2), p.47-51
Hauptverfasser:	Pulzara Mora, Álvaro Orlando, Ramírez López, Manuel, López López, Máximo, Martínez Velis, Isaac, Cruz Hernández, Esteban, Rojas Ramírez, Juan Salvador
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	molecular beam epitaxy quantum dots Quantum wires selfassembly
Online-Zugang:	Volltext
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