Unpredictable Bits Generation Based on RRAM Parallel Configuration

In this letter, a cell with the parallel combination of two TiN/Ti/HfO 2 /W resistive random access memory (RRAM) devices is studied for the generation of unpredictable bits. Measurements confirm that a simultaneous parallel SET operation in which one of the two RRAMs switches to the low-resistance...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2019-02, Vol.40 (2), p.341-344
Hauptverfasser:	Arumi, Daniel, Gomez-Pau, Alvaro, Manich, Salvador, Rodriguez-Montanes, Rosa, Gonzalez, Mireia Bargallo, Campabadal, Francesca
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Computer security Electric resistance Electrodes Elèctrodes Hafnium oxide Hardware hardware security Informàtica Memory devices Optical switches Performance evaluation PUF Random access memory Resistance Resistència elèctrica RRAM Security Seguretat informàtica Switches variability Àrees temàtiques de la UPC
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