Thin film transistors obtained by hot wire CVD

Hydrogenated microcrystalline silicon films obtained at low temperature (150–280°C) by hot wire chemical vapour deposition at two different process pressures were measured by Raman spectroscopy, X-ray diffraction (XRD) spectroscopy and photothermal deflection spectroscopy (PDS). A crystalline fracti...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of non-crystalline solids 2000-05, Vol.266, p.1304-1309
Hauptverfasser:	Puigdollers, J, Orpella, A, Dosev, D, Voz, C, Peiró, D, Pallarés, J, Marsal, L.F, Bertomeu, J, Andreu, J, Alcubilla, R
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Amorphous semiconductors Chemical vapor deposition Deposició química en fase vapor Low temperatures Pel·lícules fines Semiconductors amorfs Silici Silicon Temperatures baixes Thin films Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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