Impact of Deposition Temperature of the Silicon Oxide Passivation on the Performance of Indium Zinc Oxide Thin-Film Transistors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2012-07, Vol.51 (7R), p.76501
Hauptverfasser:	Li, Min, Lan, Linfeng, Xu, Miao, Xu, Hua, Luo, Dongxiang, Xiong, Nana, Peng, Junbiao
Format:	Artikel
Sprache:	eng ; jpn
Online-Zugang:	Volltext
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