Measurement of Negative Ions Generated on the Si Etched Surface
Gespeichert in:
Veröffentlicht in: | Japanese Journal of Applied Physics 2011-08, Vol.50 (8S2), p.8 |
---|---|
Hauptverfasser: | , , , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng ; jpn |
Online-Zugang: | Volltext |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | |
---|---|
ISSN: | 0021-4922 1347-4065 |
DOI: | 10.7567/JJAP.50.08KB01 |