Measurement of Negative Ions Generated on the Si Etched Surface

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Japanese Journal of Applied Physics 2011-08, Vol.50 (8S2), p.8
Hauptverfasser: Hayashi, Toshio, Murai, Sonomi, Sato, Fumihiko, Kono, Akihiro, Mizutani, Naoki, Suu, Koukou
Format: Artikel
Sprache:eng ; jpn
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0021-4922
1347-4065
DOI:10.7567/JJAP.50.08KB01