Dramatic increase in the growth rate of GaN layers grown from Ga 2 O vapor by epitaxial growth on HVPE-GaN substrates with a well-prepared surface

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics express 2014-03, Vol.7 (3), p.35504
Hauptverfasser:	Bu, Yuan, Kitamoto, Akira, Takatsu, Hiroaki, Juta, Masami, Sumi, Tomoaki, Imade, Mamoru, Yoshimura, Masashi, Isemura, Masashi, Mori, Yusuke
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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