SiC quantum dot formation in SiO 2 layer using double hot-Si + /C + -ion implantation technique

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2020-04, Vol.59 (SG), p.SGGH02
Hauptverfasser:	Mizuno, Tomohisa, Kanazawa, Rikito, Aoki, Takashi, Sameshima, Toshiyuki
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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