Electrical effect of CdSe layer thickness deposited on p- Si wafer: Electrical effect of CdSe layer thickness deposited on p- Si wafer
In this paper, the current-voltage characteristics of n-CdSe/p-Si heterostructures are analyzed using experimental data and electrical junction characteristics. To develop n-CdSe/p-Si heterojunctions, a wide band gap semiconducting layer of n-type CdSe thin film has been grown on a p-type Si (100) s...
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| Veröffentlicht in: | Photonics letters of Poland 2023-12, Vol.15 (4), p.57-59 |
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| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | eng |
| Online-Zugang: | Volltext |
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