Features of Recombination Radiation of GaAs Type Semiconductors with the Participation of Fine Acceptor Levels in a Magnetic Field

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of applied mathematics and physics 2024, Vol.12 (7), p.2407-2420
Hauptverfasser:	Yuldashev, Nosirjon Khaydarovich, Yulchiev, Iftixorjon Isaqovich, Akhmadaliev, Bozorboy Joboraliyevich, Sulaymonov, Khusanboy Manopovich
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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