Silicon Carbide - Graphene Nano-Gratings on 4H and 6H Semi-Insulating SiC

A technical methodology of fabrication of hierarchically scaled multitude graphene nanogratings with varying pitches ranging from the micrometer down to sub 40 nm scale combined with sub 10 nm step heights on 4H and 6H semi-insulating SiC for length scale measurements is proposed. The nanogratings w...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Materials science forum 2022-05, Vol.1062, p.170-174
Hauptverfasser:	Lebedev, Sergey P., Manske, E., Pezoldt, Joerg, Lebedev, Alexander A., Hähnlein, Bernd, Mathew, Sobin, Stauffenberg, J.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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