Effect of oxygen content on resistive switching memory characteristics of TiO x films

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of the Korean Physical Society 2012-03, Vol.60 (5), p.791-794
Hauptverfasser:	Lim, Keun Yong, Park, Jae Hee, Kim, Sung, Choi, Suk-Ho
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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