Impact of Stress Engineering on the Electron Mobility and the Ballistic Current for Strained Si NMOSFETs

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of the Korean Physical Society 2008-08, Vol.53 (9(2)), p.1024-1029
Hauptverfasser:	Chang, Shu-Tong, Liao, Shu-Hui, Lorenz, Michael, Wang, Wei-Ching, Lin, Chung-Yi, Fan, Jun-Wei
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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