In Situ Time-dependent Dielectric Breakdown in the Transmission Electron Microscope: A Possibility to Understand the Failure Mechanism in Microelectronic Devices

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of visualized experiments 2015-06 (100)
Hauptverfasser:	Liao, Zhongquan, Gall, Martin, Yeap, Kong Boon, Sander, Christoph, Clausner, André, Mühle, Uwe, Gluch, Jürgen, Standke, Yvonne, Aubel, Oliver, Beyer, Armand, Hauschildt, Meike, Zschech, Ehrenfried
Format:	Artikel
Sprache:	eng
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