Intrinsic ultrasmall nanoscale silicon turns n-/p-type with SiO 2 /Si 3 N 4 -coating

Impurity doping of ultrasmall nanoscale (usn) silicon (Si) currently used in ultralarge scale integration (ULSI) faces serious miniaturization challenges below the 14 nm technology node such as dopant out-diffusion and inactivation by clustering in Si-based field-effect transistors (FETs). Moreover,...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Beilstein journal of nanotechnology 2018-08, Vol.9, p.2255-2264
Hauptverfasser:	König, Dirk, Hiller, Daniel, Wilck, Noël, Berghoff, Birger, Müller, Merlin, Thakur, Sangeeta, Di Santo, Giovanni, Petaccia, Luca, Mayer, Joachim, Smith, Sean, Knoch, Joachim
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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