Anisotropic non-plasma HCl gas etching of a (010) β-Ga 2 O 3 substrate

We demonstrated the effectiveness of plasma-free HCl gas etching on a SiO 2 -masked (010) β -Ga 2 O 3 substrate. The etching process proceeded anisotropically in the window areas, resulting in the fabrication of holes or trenches that were surrounded by etching-resistant (100)- and ( 1 ¯ 01)-faceted...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics express 2023-06, Vol.16 (6), p.66501
Hauptverfasser:	Oshima, Takayoshi, Oshima, Yuichi
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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