Control of V th of the enhancement high-frequency AlGaN/GaN HEMT fabricated by oxygen-based digital etching

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics express 2021-12, Vol.14 (12), p.126501
Hauptverfasser:	Tsai, Ping-Yu, Chen, Yu, Lin, Chun-Hsiung, Chang, Edward Yi
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	AlGaN/GaN Digital Etching E-mode HEMT Threshold Voltage
Online-Zugang:	Volltext
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