Analysis of intrinsic reverse leakage current resulting from band-to-band tunneling in dislocation-free GaN p–n junctions

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics express 2021-11, Vol.14 (11), p.114001
Hauptverfasser:	Shoji, Tomoyuki, Narita, Tetsuo, Nagasato, Yoshitaka, Kanechika, Masakazu, Kondo, Takeshi, Uesugi, Tsutomu, Tomita, Kazuyoshi, Ikeda, Satoshi, Mori, Tomohiko, Yamaguchi, Satoshi, Kimoto, Yasuji, Kojima, Jun, Suda, Jun
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	avalanche breakdown band-to-band tunneling gallium nitride power device p–n junction reverse leakage current
Online-Zugang:	Volltext
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