Impact of SiN passivation film stress on electroluminescence characteristics of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics express 2021-09, Vol.14 (9), p.94008
Hauptverfasser:	Ma, Qiang, Urano, Shiyo, Ando, Yuji, Tanaka, Atsushi, Wakejima, Akio
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	current collapse electroluminescence film stress GaN HEMT SiN film
Online-Zugang:	Volltext
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