Silicon Nitride Etch via Oxidation Reaction in Fluorocarbon/Oxygen Plasma: A First-Principle Study Based on Equidistant Model

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of microelectronic manufacturing 2018, Vol.1 (1), p.2-10
Hauptverfasser:	Tsai, Yu-Hao, Zhang, Du, Wang, Mingmei
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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