Effect of a Low-Temperature Si Underlayer on the Photoluminescence of Misfit Dislocations in Si(001)Si1 − xGe x Heterostructures with Ge-Rich Alloy Layers

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Bulletin of the Russian Academy of Sciences. Physics 2018-04, Vol.82 (4), p.409-411
Hauptverfasser:	Akmaev, M. A., Burbaev, T. M.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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