GATE ENGINEERING OF DOUBLE GATE In0.53Ga0.47As TUNNEL FET

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	ICTACT Journal on Microelectronics 2015-10, Vol.1 (3), p.91-95
Hauptverfasser:	C. S., Praveen, Ravindran, Ajith, K John, Shajimon, Abe, Susan
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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