28.4L: Late-News Paper: Millisecond Crystallization of Amorphous Silicon Film using Joule Heating

A novel crystallization technology for amorphous silicon film using Joule heating was attempted in this study. An electric field is applied to a conductive layer, underneath, or, above, a silicon film to induce Joule heating to generate intense heat in order to carry out crystallization of amorphous...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	SID International Symposium Digest of technical papers 2006-06, Vol.37 (1), p.1280-1283
Hauptverfasser:	Ro, Jae-Sang, Hong, Won-Eui
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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