Peripheral circuit designs using low-temperature p-type poly-Si thin-film transistors
— P‐type low‐temperature (450°C) polycrystalline‐silicon thin‐film‐transistor circuits for peripheral driver integration in active‐matrix displays are proposed and verified. A low‐voltage (5 V) driven poly‐Si scan driver is designed by employing a level shifter and shift register. A source driver fo...
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Veröffentlicht in: | Journal of the Society for Information Display 2006-04, Vol.14 (4), p.403-409 |
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Hauptverfasser: | , , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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