Generation Recombination Noise in GaN Photoconducting Detectors

Low frequency noise measurements are a powerful tool for detecting deep traps in semiconductor devices and investigating trapping-recombination mechanisms. We have performed low frequency noise measurements on a number of photoconducting detectors fabricated on autodoped n-GaN films grown by ECR-MBE...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	MRS Internet journal of nitride semiconductor research 1999, Vol.4 (S1), p.817-822
Hauptverfasser:	Misra, M., Doppalapudi, D., Sampath, A.V., Moustakas, T.D., McDonald, P.H.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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