18 O study of the oxidation of reactively sputtered Ti 1− x Al x N barrier

The preparation of high-permittivity perovskite materials requires high-temperature (550–750 °C) oxidizing environments, providing stringent limitations on the choice of electrode materials. To minimize interdiffusion and oxidation reactions, an electrically conductive diffusion barrier such as Ti 1...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of materials research 2001-09, Vol.16 (9), p.2591-2599
Hauptverfasser:	Hugon, M. C., Varniere, F., Letendu, F., Agius, B., Vickridge, I., Kingon, A. I.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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