Transport Properties of Silicon δ-Doped Gaas in High Electron Density Regime

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Acta physica Polonica, A A, 1997-10, Vol.92 (4), p.727-732
Hauptverfasser:	Buyanov, A.V., Holtz, P.O., Pozina, G., Monemar, B., Thordson, J., Andersson, T.G.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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