Defect Structure of Nitrogen Doped Czochralski Silicon Annealed under Enhanced Pressure

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Acta physica Polonica, A A, 2010-02, Vol.117 (2), p.344-347
Hauptverfasser: Misiuk, A., Wierzchowski, W., Wieteska, K., Londos, C.A., Andrianakis, A., Bak-Misiuk, J., Yang, D., Surma, B.
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0587-4246
1898-794X
DOI:10.12693/APhysPolA.117.344