Modeling of Photoconductivity of Porous Silicon

The paper investigates a model of the photoconductivity of macroporous silicon in the conditions of homogeneous generation of photocarriers. By the finite element method, the stationary photoconductivity and the time evolution of photoconductivity after instantaneous shutdown of light are calculated...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Advances in OptoElectronics (Hindawi) 2011-01, Vol.2011 (2011), p.1-4
Hauptverfasser:	Parandii, P. P., Monastyrskii, L. S., Sokolovskii, B. S., Pavlyk, M. R.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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